纯度是影响 PTFE 薄膜击穿强度非常关键的因素，杂质越多，击穿强度下降越明显，且杂质类型决定下降幅度。高纯 PTFE 击穿强度可以做到 > 100kV/mm；含较多无机填料 / 炭黑 / 金属杂质的普通改性 PTFE，可能只有 20～60kV/mm。
耐击穿强度，本质是材料在高压下绝缘被破坏，形成导电通道。PTFE 本身是高度对称的非极性高分子，本征击穿强度很高；杂质是局部电场畸变点，优先引发击穿。
1、不同杂质如何降低击穿强度
（1）无机杂质（最常见：金属氧化物、催化剂残渣、矿石填料、粉尘、金属微粒）
金属 / 导电颗粒：在电场下会产生局部场强集中，颗粒尖端电场放大，在远低于本征击穿电压的位置产生微放电，形成电树，直接降低击穿电压。哪怕微米级金属粉尘，都会显著拉低击穿强度，离散性会明显变大（测试数据忽高忽低）。
非金属无机杂质（如氧化硅、氧化铝、碳酸钙）：介电常数和 PTFE（ε≈2.1）差异很大，界面产生界面极化、空间电荷积聚，在杂质与 PTFE 界面产生局部高场强，诱发局部放电，长期耐压老化后击穿强度衰减更严重。
高纯悬浮 PTFE 薄膜，无外加填料，仅残留极少量聚合催化剂残渣，击穿强度高，数据一致性好。
（2）有机杂质（低分子氟化物、残留乳化剂、热分解低聚物）
低分子物极性更高，容易捕获空间电荷，在电压作用下迁移、聚集，形成导电通路；同时低分子组分热稳定性差，高压局部发热会加速材料老化，长期工频 / 直流耐压老化下击穿强度衰减会更明显，短期击穿降幅不如金属颗粒剧烈，但影响长期寿命。
（3）孔隙、气泡（常被误认为纯度问题）
粉料烧结成型时残留气孔，属于结构缺陷，不是化学纯度，但和原料纯度、加工洁净度强相关。空气介电强度远低于 PTFE，气孔处极易发生气隙放电，击穿强度断崖式下跌。原料杂质多会增加孔隙产生概率。
2、量化参考（室温，薄 PTFE 膜，直流击穿）
高纯 PTFE 薄膜（原料纯度 99.9% 以上，无填料，洁净生产）：击穿强度 80～120 kV/mm
普通纯 PTFE（少量催化剂残留，工业常规）：60～80 kV/mm
填充改性 PTFE（加玻纤、炭黑、二硫化钼等）
玻纤填充：30～60 kV/mm
炭黑 / 石墨填充：迅速降到几 kV/mm，变为半导电材料
注意：厚度效应很重要，薄膜越薄，测得击穿强度越高；同样纯度下，厚片击穿强度会更低。
3、除了击穿值本身，纯度还影响两个工程关键点
击穿数据离散性：杂质随机分布，低纯度薄膜击穿电压波动极大，做高压绝缘设计时安全系数必须放大；高纯膜批次稳定性好。
长期耐老化、耐局部放电能力：杂质是空间电荷陷阱，直流高压长时间工作，杂质会加速电老化，发生老化击穿（不是瞬间击穿，是运行一段时间后失效）。很多高压设备不是一次性击穿，而是长期老化失效，这点高纯 PTFE 优势巨大。
4、边界说明
当杂质含量j低（ppm 级别）时，继续提升纯度，击穿强度提升幅度变小，会逐渐趋近 PTFE 的本征击穿j限；这时薄膜结晶度、孔隙、表面缺陷变成主导因素。
若杂质是惰性、纳米级、均匀分散且不形成连通导电通路，对击穿强度的负面影响会比粗大颗粒小很多。
工程选型简单总结
脉冲高压、高频高压、直流长期绝缘场景：优先高纯无填充 PTFE 薄膜，严控金属杂质，保证击穿强度和稳定性；
仅需要耐磨、机械强度，对击穿要求不高：可以选用玻纤等填充 PTFE，接受击穿强度下降。
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